IRFHM830DTRPBF

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Numero parte IRFHM830DTRPBF
LIXINC Part # IRFHM830DTRPBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 20A/40A PQFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFHM830DTRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRFHM830DTRPBF Specifiche

Numero parte:IRFHM830DTRPBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A (Ta), 40A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:4.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.35V @ 50µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:27 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1797 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 37W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PQFN (3x3)
pacchetto/caso:8-VQFN Exposed Pad

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