ISP13DP06NMSATMA1

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Numero parte ISP13DP06NMSATMA1
LIXINC Part # ISP13DP06NMSATMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 60V SOT223
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD ISP13DP06NMSATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

ISP13DP06NMSATMA1 Specifiche

Numero parte:ISP13DP06NMSATMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.8A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:-
vgs(th) (massimo) @ id:-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):-
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-SOT223
pacchetto/caso:TO-261-3

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