IRF1018ESLPBF | IR (Infineon Technologies) IRF1018ESLPBF | IRF1018ESLPBF Inventory, Best Pricing

IRF1018ESLPBF

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Numero parte	IRF1018ESLPBF
LIXINC Part #	IRF1018ESLPBF
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 79A TO262
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRF1018ESLPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRF1018ESLPBF Specifiche

Numero parte:	IRF1018ESLPBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	79A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	8.4mOhm @ 47A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	69 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2290 pF @ 50 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	110W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-262
pacchetto/caso:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IRL1404LPBF	MOSFET N-CH 40V 160A TO262	960 Maggiori informazioni su Ordine
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IRF7704GTRPBF	MOSFET P-CH 40V 4.6A 8TSSOP	863 Maggiori informazioni su Ordine
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