FDMC8878_F126

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Numero parte FDMC8878_F126
LIXINC Part # FDMC8878_F126
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDMC8878_F126 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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FDMC8878_F126 Specifiche

Numero parte:FDMC8878_F126
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:PowerTrench®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:14mOhm @ 9.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:26 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1230 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta), 31W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-MLP (3.3x3.3)
pacchetto/caso:8-PowerWDFN

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