IRLH5036TRPBF

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Numero parte IRLH5036TRPBF
LIXINC Part # IRLH5036TRPBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 20A/100A 8PQFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRLH5036TRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRLH5036TRPBF Specifiche

Numero parte:IRLH5036TRPBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A (Ta), 100A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:4.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 150µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:90 nC @ 10 V
vgs (massimo):±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5360 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.6W (Ta), 160W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-PQFN (5x6)
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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