AOU2N60_001 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AOU2N60_001

AOU2N60_001

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Numero parte	AOU2N60_001
LIXINC Part #	AOU2N60_001
Produttore	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 2A TO251-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	AOU2N60_001 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

AOU2N60_001 Specifiche

Numero parte:	AOU2N60_001
Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	2A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	4.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	325 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	56.8W (Tc)
temperatura di esercizio:	-50°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-251-3
pacchetto/caso:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FCB20N60F-F085	MOSFET N-CH 600V 20A TO263AB	910 Maggiori informazioni su Ordine
IRL3402	MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB	978 Maggiori informazioni su Ordine
FCD5N60-F085	MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK	822 Maggiori informazioni su Ordine
IRF540A	MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3	806 Maggiori informazioni su Ordine
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IRF9610L	MOSFET P-CH 200V 1.8A I2PAK	952 Maggiori informazioni su Ordine
IRFSL9N60ATRR	MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK	850 Maggiori informazioni su Ordine