2SJ438,Q(M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SJ438,Q(M

2SJ438,Q(M

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Numero parte	2SJ438,Q(M
LIXINC Part #	2SJ438,Q(M
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH TO220NIS
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	2SJ438,Q(M Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione

2SJ438,Q(M Specifiche

Numero parte:	2SJ438,Q(M
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	*
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	-
tecnologia:	-
tensione drain-source (vdss):	-
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	5A (Tj)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	-
rds su (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (massimo) @ id:	-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (massimo):	-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	-
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	-
temperatura di esercizio:	-
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220NIS
pacchetto/caso:	TO-220-3 Full Pack

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