IRF640,127 | NXP Semiconductors IRF640,127 | IRF640,127 Inventory, Best Pricing

IRF640,127

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Numero parte	IRF640,127
LIXINC Part #	IRF640,127
Produttore	NXP Semiconductors
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRF640,127 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 21 - Sep 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRF640,127 Specifiche

Numero parte:	IRF640,127
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	NXP Semiconductors
serie:	TrenchMOS™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	16A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	63 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1850 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	136W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220AB
pacchetto/caso:	TO-220-3

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