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Numero parte | FQI27N25TU-F085 |
LIXINC Part # | FQI27N25TU-F085 |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | 25.5A, 250V, 0.11OHM, N-CHANNEL |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | FQI27N25TU-F085 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | FQI27N25TU-F085 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | Automotive, AEC-Q101 |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 250 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 25.5A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 110mOhm @ 12.75A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 65 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1.8 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 3.13W (Ta), 417W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | I2PAK (TO-262) |
pacchetto/caso: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
NTMFS5C460NLT1G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 985 Maggiori informazioni su Ordine |
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STB4NK60Z-1 | MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK | 896 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 15018 - Maggiori informazioni su Ordine |
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