NTMFS4C08NT1G-001 | Rochester Electronics NTMFS4C08NT1G-001 | NTMFS4C08NT1G-001 Inventory, Best Pricing

NTMFS4C08NT1G-001

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Numero parte	NTMFS4C08NT1G-001
LIXINC Part #	NTMFS4C08NT1G-001
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NTMFS4C08NT1G-001 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NTMFS4C08NT1G-001 Specifiche

Numero parte:	NTMFS4C08NT1G-001
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Not For New Designs
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	9A (Ta), 52A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	5.8mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	18.2 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1.67 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	760mW (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

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