NVMFS4C05NWFT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFS4C05NWFT1G

NVMFS4C05NWFT1G

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Numero parte	NVMFS4C05NWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS4C05NWFT1G
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NVMFS4C05NWFT1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NVMFS4C05NWFT1G Specifiche

Numero parte:	NVMFS4C05NWFT1G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	24.7A (Ta), 116A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	3.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1972 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	3.61W (Ta), 79W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

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