FDB047N10 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDB047N10

FDB047N10

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Numero parte	FDB047N10
LIXINC Part #	FDB047N10
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FDB047N10 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FDB047N10 Specifiche

Numero parte:	FDB047N10
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	120A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	4.7mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	210 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	15265 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	375W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	D²PAK
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQI27N25TU-F085	25.5A, 250V, 0.11OHM, N-CHANNEL	5046 Maggiori informazioni su Ordine
NTMFS5C460NLT1G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	888 Maggiori informazioni su Ordine
2N7002P,235	MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB	261977 Maggiori informazioni su Ordine
RQ6E045BNTCR	MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT	2913 Maggiori informazioni su Ordine
NTE2930	MOSFET N-CHANNEL 100V 31A TO3PML	1204 Maggiori informazioni su Ordine
NVMFS5C410NLT3G	MOSFET N-CH 40V 48A/315A 5DFN	868 Maggiori informazioni su Ordine
FQA32N20C	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3	36294 Maggiori informazioni su Ordine
AOTF190A60CL	MOSFET N-CH 600V 20A TO220F	1748 Maggiori informazioni su Ordine
R5011ANJTL	MOSFET N-CH 500V 11A LPTS	990 Maggiori informazioni su Ordine
NTMFS4C08NT1G-001	MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN	3903 Maggiori informazioni su Ordine
NVMFS4C05NWFT1G	MOSFET N-CH 30V 24.7A/116A 5DFN	60840 Maggiori informazioni su Ordine
SQJ460AEP-T2_GE3	MOSFET N-CH 60V 58A PPAK SO-8	838 Maggiori informazioni su Ordine
IRFS7730TRLPBF	MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK	1631 Maggiori informazioni su Ordine