BUK7Y18-55B,115 | Nexperia BUK7Y18-55B,115 | BUK7Y18-55B,115 Inventory, Best Pricing

BUK7Y18-55B,115

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Numero parte	BUK7Y18-55B,115
LIXINC Part #	BUK7Y18-55B,115
Produttore	Nexperia
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 55V 47.4A LFPAK56
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BUK7Y18-55B,115 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione

BUK7Y18-55B,115 Specifiche

Numero parte:	BUK7Y18-55B,115
Marca:	Nexperia
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Nexperia
serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	55 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	47.4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	21.9 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1263 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	85W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	LFPAK56, Power-SO8
pacchetto/caso:	SC-100, SOT-669

STI13NM60N	MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK	1972 Maggiori informazioni su Ordine
IPI45N06S4L08AKSA2	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET	11833 Maggiori informazioni su Ordine
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BSC016N03MSGATMA1	MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON	3454 Maggiori informazioni su Ordine
STL8N6F7	MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT	852 Maggiori informazioni su Ordine
2N7002-TP	MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23	861 Maggiori informazioni su Ordine
NVMFS5826NLWFT1G	MOSFET N-CH 60V 8A 5DFN	1744 Maggiori informazioni su Ordine
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