STL8N6F7

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Numero parte STL8N6F7
LIXINC Part # STL8N6F7
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STL8N6F7 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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STL8N6F7 Specifiche

Numero parte:STL8N6F7
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:STripFET™ F7
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:36A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:25mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:8 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:450 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3W (Ta), 60W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerFlat™ (3.3x3.3)
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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