NVMFS5826NLWFT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFS5826NLWFT1G

NVMFS5826NLWFT1G

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Numero parte	NVMFS5826NLWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS5826NLWFT1G
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 8A 5DFN
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NVMFS5826NLWFT1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NVMFS5826NLWFT1G Specifiche

Numero parte:	NVMFS5826NLWFT1G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	8A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	24mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	850 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	3.6W (Ta), 39W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

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