HUFA75639S3ST

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Numero parte HUFA75639S3ST
LIXINC Part # HUFA75639S3ST
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione 56A, 100V, 0.025OHM, N-CHANNEL,
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD HUFA75639S3ST Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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HUFA75639S3ST Specifiche

Numero parte:HUFA75639S3ST
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:56A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:25mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:130 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):200W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D²PAK (TO-263AB)
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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