IAUS300N08S5N012ATMA1

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Numero parte IAUS300N08S5N012ATMA1
LIXINC Part # IAUS300N08S5N012ATMA1
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione IAUS300N08 - 75V-120V N-CHANNEL
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IAUS300N08S5N012ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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IAUS300N08S5N012ATMA1 Specifiche

Numero parte:IAUS300N08S5N012ATMA1
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:300A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:1.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.8V @ 275µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:231 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:16.25 pF @ 40 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):375W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-HSOG-8-1
pacchetto/caso:8-PowerSMD, Gull Wing

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