IPD088N06N3GBTMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD088N06N3GBTMA1 | IPD088N06N3GBTMA1 Inventory, Best Pricing

IPD088N06N3GBTMA1

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Numero parte	IPD088N06N3GBTMA1
LIXINC Part #	IPD088N06N3GBTMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPD088N06N3GBTMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPD088N06N3GBTMA1 Specifiche

Numero parte:	IPD088N06N3GBTMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	50A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	8.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 34µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	48 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	3900 pF @ 30 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	71W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO252-3
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

CSD18501Q5A	MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON	53473 Maggiori informazioni su Ordine
IPW65R110CFDFKSA1	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3	1195 Maggiori informazioni su Ordine
BUK9Y7R2-60E,115	MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56	1131 Maggiori informazioni su Ordine
IAUS300N08S5N012ATMA1	IAUS300N08 - 75V-120V N-CHANNEL	949 Maggiori informazioni su Ordine
FDD8882	MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA	1041 Maggiori informazioni su Ordine
IPDD60R080G7XTMA1	MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10	2704 Maggiori informazioni su Ordine
RM6N800IP	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251	837 Maggiori informazioni su Ordine
STF21N90K5	MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220FP	2425 Maggiori informazioni su Ordine
APT26M100JCU3	MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227	904 Maggiori informazioni su Ordine
FDB5800	MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK	4896 Maggiori informazioni su Ordine
IPB80N06S2L-11	IPB80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT	10485 Maggiori informazioni su Ordine
SQJ476EP-T1_GE3	MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8	3450 Maggiori informazioni su Ordine
RJK0456DPB-00#J5	MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK	879 Maggiori informazioni su Ordine