IPZ40N04S53R1ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPZ40N04S53R1ATMA1 | IPZ40N04S53R1ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPZ40N04S53R1ATMA1

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Numero parte	IPZ40N04S53R1ATMA1
LIXINC Part #	IPZ40N04S53R1ATMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPZ40N04S53R1ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPZ40N04S53R1ATMA1 Specifiche

Numero parte:	IPZ40N04S53R1ATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	40A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	7V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	3.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.4V @ 30µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	41 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2310 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	71W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TSDSON-8
pacchetto/caso:	8-PowerVDFN

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