STB7ANM60N

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Numero parte STB7ANM60N
LIXINC Part # STB7ANM60N
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STB7ANM60N Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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STB7ANM60N Specifiche

Numero parte:STB7ANM60N
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 10 V
vgs (massimo):±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:363 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):45W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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