YJD80G06A-F1-0000

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Numero parte YJD80G06A-F1-0000
LIXINC Part # YJD80G06A-F1-0000
Produttore
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione N-CH MOSFET 60V 80A TO-252
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD YJD80G06A-F1-0000 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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YJD80G06A-F1-0000 Specifiche

Numero parte:YJD80G06A-F1-0000
Marca:
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:80A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:31 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1990 pF @ 30 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):85W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-252
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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