IPC60N04S406ATMA1

IPC60N04S406ATMA1
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Numero parte IPC60N04S406ATMA1
LIXINC Part # IPC60N04S406ATMA1
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 40V 60A TDSON-8-23
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPC60N04S406ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida)
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IPC60N04S406ATMA1 Specifiche

Numero parte:IPC60N04S406ATMA1
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:60A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 30µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2.65 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):63W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TDSON-8-23
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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