TPH3206LDGB

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Numero parte TPH3206LDGB
LIXINC Part # TPH3206LDGB
Produttore Transphorm
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TPH3206LDGB Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida)
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TPH3206LDGB Specifiche

Numero parte:TPH3206LDGB
Marca:Transphorm
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Transphorm
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:16A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:180mOhm @ 11A, 8V
vgs(th) (massimo) @ id:2.6V @ 500µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:9.3 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±18V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 480 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):81W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PQFN (8x8)
pacchetto/caso:3-PowerDFN

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