NVB150N65S3F

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Numero parte NVB150N65S3F
LIXINC Part # NVB150N65S3F
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NVB150N65S3F Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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NVB150N65S3F Specifiche

Numero parte:NVB150N65S3F
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:SuperFET® III
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:24A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:150mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 540µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:43 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1999 pF @ 400 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):192W
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK-3 (TO-263)
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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