IRF60DM206

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Numero parte IRF60DM206
LIXINC Part # IRF60DM206
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRF60DM206 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IRF60DM206 Specifiche

Numero parte:IRF60DM206
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:StrongIRFET™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:130A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:2.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.7V @ 150µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:200 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:6530 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):96W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DirectFET™ Isometric ME
pacchetto/caso:DirectFET™ Isometric ME

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