NDPL180N10BG

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Numero parte NDPL180N10BG
LIXINC Part # NDPL180N10BG
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NDPL180N10BG Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
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NDPL180N10BG Specifiche

Numero parte:NDPL180N10BG
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:180A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V, 15V
rds su (max) @ id, vgs:3mOhm @ 15V, 50A
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:95 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:6.95 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta), 200W (Tc)
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220-3
pacchetto/caso:TO-220-3

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