IPP50R399CPXKSA1 | Rochester Electronics IPP50R399CPXKSA1 | IPP50R399CPXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP50R399CPXKSA1

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Numero parte	IPP50R399CPXKSA1
LIXINC Part #	IPP50R399CPXKSA1
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPP50R399CPXKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPP50R399CPXKSA1 Specifiche

Numero parte:	IPP50R399CPXKSA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	CoolMOS™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	500 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	9A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	399mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 330µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	4 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	890 pF @ 100 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	83W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO220-3
pacchetto/caso:	TO-220-3

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