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Numero parte | TK9A60D(STA4,Q,M) |
LIXINC Part # | TK9A60D(STA4,Q,M) |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 9A TO220SIS |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TK9A60D(STA4,Q,M) Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | TK9A60D(STA4,Q,M) |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | π-MOSVII |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 9A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 830mOhm @ 4.5A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 24 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1200 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220SIS |
pacchetto/caso: | TO-220-3 Full Pack |
NTTFS4C02NTAG | MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN | 801 Maggiori informazioni su Ordine |
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RM35P30LDV | MOSFET P-CHANNEL 30V 35A TO252-2 | 920 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10907 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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