RM35P30LDV

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Numero parte RM35P30LDV
LIXINC Part # RM35P30LDV
Produttore Rectron USA
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CHANNEL 30V 35A TO252-2
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RM35P30LDV Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
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RM35P30LDV Specifiche

Numero parte:RM35P30LDV
Marca:Rectron USA
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rectron USA
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:35A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:20mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1345 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):40W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-252-2
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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