BSP135H6327XTSA1

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Numero parte BSP135H6327XTSA1
LIXINC Part # BSP135H6327XTSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSP135H6327XTSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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BSP135H6327XTSA1 Specifiche

Numero parte:BSP135H6327XTSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:SIPMOS®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:120mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):0V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:45Ohm @ 120mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 94µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:4.9 nC @ 5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:146 pF @ 25 V
caratteristica del feto:Depletion Mode
dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:SOT-223-4
pacchetto/caso:TO-261-4, TO-261AA

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