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Numero parte | BSP135H6327XTSA1 |
LIXINC Part # | BSP135H6327XTSA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | BSP135H6327XTSA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | BSP135H6327XTSA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | SIPMOS® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 120mA (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 0V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 45Ohm @ 120mA, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1V @ 94µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 4.9 nC @ 5 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 146 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | Depletion Mode |
dissipazione di potenza (max): | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SOT-223-4 |
pacchetto/caso: | TO-261-4, TO-261AA |
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In magazzino | 36670 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.32000 | $1.32 |
1000 | $0.66931 | $669.31 |
2000 | $0.62930 | $1258.6 |
5000 | $0.60129 | $3006.45 |
10000 | $0.58128 | $5812.8 |
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