2SK209-Y(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SK209-Y(TE85L,F) | 2SK209-Y(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

2SK209-Y(TE85L,F)

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Numero parte	2SK209-Y(TE85L,F)
LIXINC Part #	2SK209-Y(TE85L,F)
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 10V 14MA SC59
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	2SK209-Y(TE85L,F) Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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2SK209-Y(TE85L,F) Specifiche

Numero parte:	2SK209-Y(TE85L,F)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	10 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	14mA
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	-
rds su (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (massimo) @ id:	-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (massimo):	-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	13 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	150mW
temperatura di esercizio:	125°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	SC-59
pacchetto/caso:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

PSMN130-200D,118-NEX	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	983 Maggiori informazioni su Ordine
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APT8015JVR	MOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP	900 Maggiori informazioni su Ordine
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IXFN38N80Q2	MOSFET N-CH 800V 38A SOT227B	996 Maggiori informazioni su Ordine
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