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Numero parte | PMZB670UPE,315 |
LIXINC Part # | PMZB670UPE,315 |
Produttore | Nexperia |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | PMZB670UPE,315 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | PMZB670UPE,315 |
Marca: | Nexperia |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Nexperia |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 20 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 680mA (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 1.8V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 850mOhm @ 400mA, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1.3V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 1.14 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±8V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 87 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | DFN1006B-3 |
pacchetto/caso: | 3-XFDFN |
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In magazzino | 30496 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.40000 | $0.4 |
10000 | $0.06952 | $695.2 |
30000 | $0.06518 | $1955.4 |
50000 | $0.05779 | $2889.5 |
100000 | $0.05649 | $5649 |
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