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Numero parte | SSM6J502NU,LF |
LIXINC Part # | SSM6J502NU,LF |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SSM6J502NU,LF Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SSM6J502NU,LF |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | U-MOSVI |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 20 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 6A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 1.5V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 23.1mOhm @ 4A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 24.8 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±8V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1800 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 6-UDFNB (2x2) |
pacchetto/caso: | 6-WDFN Exposed Pad |
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In magazzino | 13018 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.67000 | $0.67 |
3000 | $0.22368 | $671.04 |
6000 | $0.20925 | $1255.5 |
15000 | $0.20203 | $3030.45 |
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