Solo per riferimento
Numero parte | RQ3E130MNTB1 |
LIXINC Part # | RQ3E130MNTB1 |
Produttore | ROHM Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | RQ3E130MNTB1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | RQ3E130MNTB1 |
Marca: | ROHM Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | ROHM Semiconductor |
serie: | * |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 13A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 8.1mOhm @ 13A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.5V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 14 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 840 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-HSMT (3.2x3) |
pacchetto/caso: | 8-PowerVDFN |
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SI1012R-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A | 849 Maggiori informazioni su Ordine |
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NX2301PVL | MOSFET P-CHANNEL 20V 2A TO236AB | 996 Maggiori informazioni su Ordine |
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HAT2172N-EL-E | MOSFET N-CH 40V 30A 8LFPAK | 28318 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 13886 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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