HAT2172N-EL-E

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Numero parte HAT2172N-EL-E
LIXINC Part # HAT2172N-EL-E
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 40V 30A 8LFPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD HAT2172N-EL-E Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
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HAT2172N-EL-E Specifiche

Numero parte:HAT2172N-EL-E
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:30A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:7.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:32 nC @ 10 V
vgs (massimo):-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2.42 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):20W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-LFPAK-iV
pacchetto/caso:8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)

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