NVTFS6H880NWFTAG

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Numero parte NVTFS6H880NWFTAG
LIXINC Part # NVTFS6H880NWFTAG
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NVTFS6H880NWFTAG Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
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NVTFS6H880NWFTAG Specifiche

Numero parte:NVTFS6H880NWFTAG
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6.3A (Ta), 21A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:32mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 20µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:6.9 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:370 pF @ 40 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 31W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-WDFN (3.3x3.3)
pacchetto/caso:8-PowerWDFN

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