NVMFS5C612NLAFT3G

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Numero parte NVMFS5C612NLAFT3G
LIXINC Part # NVMFS5C612NLAFT3G
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NVMFS5C612NLAFT3G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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NVMFS5C612NLAFT3G Specifiche

Numero parte:NVMFS5C612NLAFT3G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Not For New Designs
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:38A (Ta), 250A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:1.36mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:91 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:6660 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 167W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN, 5 Leads

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