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Numero parte | FQT13N06LTF |
LIXINC Part # | FQT13N06LTF |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | FQT13N06LTF Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | FQT13N06LTF |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | QFET® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 2.8A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 110mOhm @ 1.4A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 6.4 nC @ 5 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 350 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SOT-223-4 |
pacchetto/caso: | TO-261-4, TO-261AA |
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In magazzino | 17816 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.64000 | $0.64 |
4000 | $0.26347 | $1053.88 |
8000 | $0.24647 | $1971.76 |
12000 | $0.22947 | $2753.64 |
28000 | $0.21758 | $6092.24 |
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