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STP24N60DM2

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Numero parte	STP24N60DM2
LIXINC Part #	STP24N60DM2
Produttore	STMicroelectronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	STP24N60DM2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

STP24N60DM2 Specifiche

Numero parte:	STP24N60DM2
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	STMicroelectronics
serie:	FDmesh™ II Plus
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	18A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	200mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	29 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1055 pF @ 100 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	150W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220
pacchetto/caso:	TO-220-3

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DMN10H100SK3-13	MOSFET N-CH 100V 18A TO252	445138387 Maggiori informazioni su Ordine
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FQT13N06LTF	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4	7901 Maggiori informazioni su Ordine
SIS892DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8	3723 Maggiori informazioni su Ordine
SQM40020E_GE3	MOSFET N-CH 40V 100A TO263	1683 Maggiori informazioni su Ordine
RZL035P01TR	MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6	3410 Maggiori informazioni su Ordine
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