IRL80HS120

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Numero parte IRL80HS120
LIXINC Part # IRL80HS120
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRL80HS120 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IRL80HS120 Specifiche

Numero parte:IRL80HS120
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:12.5A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:32mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 10µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:540 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):11.5W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:6-PQFN (2x2)
pacchetto/caso:6-VDFN Exposed Pad

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