SCTW35N65G2V

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Numero parte SCTW35N65G2V
LIXINC Part # SCTW35N65G2V
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SCTW35N65G2V Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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SCTW35N65G2V Specifiche

Numero parte:SCTW35N65G2V
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:45A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):18V, 20V
rds su (max) @ id, vgs:67mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:73 nC @ 20 V
vgs (massimo):+22V, -10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1370 pF @ 400 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):240W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 200°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:HiP247™
pacchetto/caso:TO-247-3

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