RM2A8N60S4 | Rectron USA RM2A8N60S4 | RM2A8N60S4 Inventory, Best Pricing

RM2A8N60S4

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Numero parte	RM2A8N60S4
LIXINC Part #	RM2A8N60S4
Produttore	Rectron USA
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	RM2A8N60S4 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

RM2A8N60S4 Specifiche

Numero parte:	RM2A8N60S4
Marca:	Rectron USA
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rectron USA
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	2.8A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	715 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1.5W (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	SOT-223-3
pacchetto/caso:	TO-261-4, TO-261AA

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