Solo per riferimento
Numero parte | NTLUS3C18PZTAG |
LIXINC Part # | NTLUS3C18PZTAG |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NTLUS3C18PZTAG Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NTLUS3C18PZTAG |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 12 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 4.4A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 1.8V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 24mOhm @ 7A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 15.8 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±8V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1570 pF @ 6 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 660mW (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 6-UDFN (1.6x1.6) |
pacchetto/caso: | 6-PowerUFDFN |
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In magazzino | 10808 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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