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IRFHM8337TRPBF-IR

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Numero parte	IRFHM8337TRPBF-IR
LIXINC Part #	IRFHM8337TRPBF-IR
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRFHM8337TRPBF-IR Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRFHM8337TRPBF-IR Specifiche

Numero parte:	IRFHM8337TRPBF-IR
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	12A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	-
rds su (max) @ id, vgs:	12.4mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.35V @ 25µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	8.1 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	755 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.8W (Ta), 25W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
pacchetto/caso:	8-PowerVDFN

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