Solo per riferimento
Numero parte | BSC0302LSATMA1 |
LIXINC Part # | BSC0302LSATMA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 120V 12A/99A TDSON |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | BSC0302LSATMA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | BSC0302LSATMA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | OptiMOS™ 2 |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 120 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 12A (Ta), 99A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 8mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.4V @ 112µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 79 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 7400 pF @ 60 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 156W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-TDSON-8-7 |
pacchetto/caso: | 8-PowerTDFN |
IRFHM8337TRPBF-IR | MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL | 995 Maggiori informazioni su Ordine |
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NTD3055L170-001 | MOSFET N-CH 60V 9A IPAK | 3990 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10748 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
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