FS75R12W2T7B11BOMA1 | IR (Infineon Technologies) FS75R12W2T7B11BOMA1 | FS75R12W2T7B11BOMA1 Inventory, Best Pricing

FS75R12W2T7B11BOMA1

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Numero parte	FS75R12W2T7B11BOMA1
LIXINC Part #	FS75R12W2T7B11BOMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - igbt - moduli
Descrizione	IGBT MOD 1200V 75A
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FS75R12W2T7B11BOMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Jul 08 - Jul 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FS75R12W2T7B11BOMA1 Specifiche

Numero parte:	FS75R12W2T7B11BOMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - igbt - moduli
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	EasyPACK™
pacchetto:	Box
stato della parte:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
configurazione:	Full Bridge
tensione - guasto collettore emettitore (max):	1200 V
corrente - collettore (ic) (max):	65 A
potenza - max:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.55V @ 15V, 75A (Typ)
corrente - taglio collettore (max):	13 µA
capacità di ingresso (cies) @ vce:	15.1 nF @ 25 V
ingresso:	Standard
termistore ntc:	No
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 175°C
tipo di montaggio:	Chassis Mount
pacchetto/caso:	Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:	Module

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FS15R06XE3BOMA1	IGBT MOD 600V 22A 71.5W	949 Maggiori informazioni su Ordine
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