FS660R08A6P2FBBPSA1 | IR (Infineon Technologies) FS660R08A6P2FBBPSA1 | FS660R08A6P2FBBPSA1 Inventory, Best Pricing

FS660R08A6P2FBBPSA1

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Numero parte	FS660R08A6P2FBBPSA1
LIXINC Part #	FS660R08A6P2FBBPSA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - igbt - moduli
Descrizione	HYBRID PACK DRIVE
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	FS660R08A6P2FBBPSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

FS660R08A6P2FBBPSA1 Specifiche

Numero parte:	FS660R08A6P2FBBPSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - igbt - moduli
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HybridPACK™
pacchetto:	Tray
stato della parte:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
configurazione:	Three Phase Inverter
tensione - guasto collettore emettitore (max):	750 V
corrente - collettore (ic) (max):	450 A
potenza - max:	1053 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.35V @ 15V, 450A
corrente - taglio collettore (max):	1 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:	80 nF @ 50 V
ingresso:	Standard
termistore ntc:	Yes
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Chassis Mount
pacchetto/caso:	Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:	AG-HYBRIDD-1

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