F3L150R07W2E3B11BOMA1 | IR (Infineon Technologies) F3L150R07W2E3B11BOMA1 | F3L150R07W2E3B11BOMA1 Inventory, Best Pricing

F3L150R07W2E3B11BOMA1

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Numero parte	F3L150R07W2E3B11BOMA1
LIXINC Part #	F3L150R07W2E3B11BOMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - igbt - moduli
Descrizione	IGBT MOD 650V 150A 335W
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	F3L150R07W2E3B11BOMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

F3L150R07W2E3B11BOMA1 Specifiche

Numero parte:	F3L150R07W2E3B11BOMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - igbt - moduli
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo igbt:	Trench Field Stop
configurazione:	Three Phase Inverter
tensione - guasto collettore emettitore (max):	650 V
corrente - collettore (ic) (max):	150 A
potenza - max:	335 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.9V @ 15V, 150A
corrente - taglio collettore (max):	1 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:	9.3 nF @ 25 V
ingresso:	Standard
termistore ntc:	Yes
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C
tipo di montaggio:	Chassis Mount
pacchetto/caso:	Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:	Module

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MG12150W-XN2MM	IGBT MOD 1200V 200A 625W	1043 Maggiori informazioni su Ordine
FZ1200R33KF2CNOSA1	IGBT MODULE 3300V 2000A	990 Maggiori informazioni su Ordine
FF450R06ME3BOSA1	IGBT MOD 600V 550A 1250W	895 Maggiori informazioni su Ordine
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6MS30017E43W34404NOSA1	IGBT MODULE 1700V 4280A	821 Maggiori informazioni su Ordine
DF160R12W2H3FB11BPSA1	IGBT MOD 1200V 40A 20MW	998 Maggiori informazioni su Ordine
FS50R06W1E3BOMA1	IGBT MODULE 600V 70A 205W	942 Maggiori informazioni su Ordine
FS50R12W2T7B11BOMA1	IGBT MOD 1200V 50A	825 Maggiori informazioni su Ordine