TPCA8009-H(TE12L,Q

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Numero parte TPCA8009-H(TE12L,Q
LIXINC Part # TPCA8009-H(TE12L,Q
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 150V 7A 8SOP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TPCA8009-H(TE12L,Q Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
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TPCA8009-H(TE12L,Q Specifiche

Numero parte:TPCA8009-H(TE12L,Q
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):150 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:7A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:350mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:10 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:600 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta), 45W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SOP Advance (5x5)
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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