IRF6674TR1PBF | IR (Infineon Technologies) IRF6674TR1PBF | IRF6674TR1PBF Inventory, Best Pricing

IRF6674TR1PBF

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Numero parte	IRF6674TR1PBF
LIXINC Part #	IRF6674TR1PBF
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRF6674TR1PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRF6674TR1PBF Specifiche

Numero parte:	IRF6674TR1PBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	13.4A (Ta), 67A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	11mOhm @ 13.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4.9V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	36 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1350 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	3.6W (Ta), 89W (Tc)
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	DIRECTFET™ MZ
pacchetto/caso:	DirectFET™ Isometric MZ

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